Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ474EP-T1_GE3
SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj474ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.63 грн
6000+ 23.51 грн
9000+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ474EP-T1_GE3 за ціною від 22.92 грн до 67.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj474ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.8 грн
10+ 48.85 грн
100+ 37.98 грн
500+ 30.21 грн
1000+ 24.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj474ep.pdf MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.73 грн
10+ 54.85 грн
100+ 37.13 грн
500+ 31.42 грн
1000+ 25.64 грн
3000+ 24.11 грн
6000+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj474ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj474ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj474ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній