Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ488EP-T2_GE3
SQJ488EP-T2_GE3

SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

sqj488ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.02 грн
6000+ 32.11 грн
9000+ 30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ488EP-T2_GE3 за ціною від 33.62 грн до 84.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ488EP-T2_GE3 SQJ488EP-T2_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.79 грн
10+ 66.7 грн
100+ 51.87 грн
500+ 41.27 грн
1000+ 33.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ488EP-T2_GE3 Виробник : Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товар відсутній
SQJ488EP-T2_GE3 SQJ488EP-T2_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj488ep-1763766.pdf MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товар відсутній