Продукція > VISHAY > SQJ868EP-T1_GE3
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY

sqj868ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.05 грн
500+ 28.65 грн
1000+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm.

Інші пропозиції SQJ868EP-T1_GE3 за ціною від 22.87 грн до 57.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj868ep.pdf Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.38 грн
17+ 44.04 грн
100+ 34.05 грн
500+ 28.65 грн
1000+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj868ep.pdf MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 35993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.58 грн
10+ 52.1 грн
100+ 39.72 грн
500+ 35.67 грн
1000+ 28.43 грн
3000+ 25.51 грн
6000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj868ep.pdf SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товар відсутній