Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQJ912BEP-T1_GE3
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqj912bep.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.77 грн
10+ 76.01 грн
100+ 52.28 грн
500+ 45.17 грн
1000+ 36.8 грн
3000+ 34.61 грн
6000+ 32.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQJ912BEP-T1_GE3 за ціною від 41.58 грн до 109.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ912BEP-T1_GE3 SQJ912BEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj912bep.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.32 грн
10+ 87.11 грн
100+ 67.94 грн
500+ 52.67 грн
1000+ 41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ912BEP-T1_GE3 SQJ912BEP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2687568.pdf Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+109.54 грн
10+ 98.36 грн
100+ 76.75 грн
500+ 58.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQJ912BEP-T1_GE3 SQJ912BEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj912bep.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товар відсутній