SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 81446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.34 грн |
| 10+ | 123.75 грн |
| 100+ | 85.03 грн |
| 250+ | 79.05 грн |
| 500+ | 71.74 грн |
| 1000+ | 61.24 грн |
| 3000+ | 58.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQJ960EP-T1_GE3 за ціною від 69.27 грн до 155.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ960EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 8APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJ960EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SQJ960EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SQJ960EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3 |
товар відсутній |