Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA04EP-T1_GE3
SQJA04EP-T1_GE3

SQJA04EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja04ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA04EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA04EP-T1_GE3 за ціною від 32.81 грн до 105.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJA04EP-T1_GE3 SQJA04EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja04ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.63 грн
10+ 65.11 грн
100+ 50.64 грн
500+ 40.28 грн
1000+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJA04EP-T1_GE3 SQJA04EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja04ep-2897977.pdf MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 239-248 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.4 грн
10+ 93.96 грн
100+ 63.44 грн
500+ 52.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJA04EP-T1_GE3 SQJA04EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja04ep.pdf Automotive N-Channel 60 V D-S 175 Degreec Mosfet
товар відсутній