Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA16EP-T1_GE3
SQJA16EP-T1_GE3

SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja16ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.6 грн
10+ 80.68 грн
100+ 64.23 грн
500+ 51 грн
1000+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA16EP-T1_GE3 за ціною від 42.38 грн до 109.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJA16EP-T1_GE3 SQJA16EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqja16ep.pdf MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 32118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.27 грн
10+ 90.14 грн
100+ 62.37 грн
250+ 59.52 грн
500+ 52.08 грн
1000+ 44.57 грн
3000+ 42.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJA16EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja16ep.pdf SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SQJA16EP-T1_GE3 SQJA16EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja16ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній