Продукція > VISHAY > SQJA34EP-T1_GE3
SQJA34EP-T1_GE3

SQJA34EP-T1_GE3 VISHAY

sqja34ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.32 грн
500+ 42.69 грн
1000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA34EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQJA34EP-T1_GE3 за ціною від 32.38 грн до 89.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja34ep.pdf Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.67 грн
11+ 69.82 грн
100+ 54.32 грн
500+ 42.69 грн
1000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja34ep-2897697.pdf MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.12 грн
10+ 79.45 грн
100+ 53.61 грн
500+ 44.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja34ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja34ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
товар відсутній