Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA72EP-T1_GE3
SQJA72EP-T1_GE3

SQJA72EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja72ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.16 грн
10+ 77.98 грн
100+ 60.68 грн
500+ 48.26 грн
1000+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA72EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA72EP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja72ep-1274958.pdf MOSFET 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 9802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQJA72EP-T1
Код товару: 147923 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja72ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній