Продукція > VISHAY > SQJA80EP-T1_GE3
SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3 Vishay

sqja80ep-.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
263+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 263
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA80EP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA80EP-T1_GE3 за ціною від 30.33 грн до 101.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3252065.pdf Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.26 грн
500+ 49.68 грн
1000+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja80ep-.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.45 грн
10+ 65.42 грн
25+ 64.76 грн
50+ 61.62 грн
100+ 47.73 грн
250+ 45.36 грн
500+ 39.92 грн
1000+ 30.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.79 грн
10+ 66.7 грн
100+ 51.87 грн
500+ 41.27 грн
1000+ 33.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja80ep-.pdf MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
на замовлення 40370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.8 грн
10+ 70.2 грн
100+ 48.49 грн
500+ 41.65 грн
1000+ 33.08 грн
3000+ 32.55 грн
6000+ 30.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3252065.pdf Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.34 грн
10+ 77.5 грн
100+ 56.26 грн
500+ 49.68 грн
1000+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja80ep-.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товар відсутній
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній