Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM50P04-09L_GE3
SQM50P04-09L_GE3

SQM50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix

sqm50p04.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM50P04-09L_GE3 за ціною від 69.75 грн до 180.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p04.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.7 грн
10+ 133.13 грн
100+ 105.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm50p04.pdf MOSFET P-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.57 грн
10+ 148.2 грн
100+ 102.3 грн
250+ 98.31 грн
500+ 86.35 грн
800+ 70.41 грн
2400+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay sqm50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній