STHU32N65DM6AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STHU32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.097 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 552.16 грн |
| 25+ | 540.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STHU32N65DM6AG STMICROELECTRONICS
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STHU32N65DM6AG за ціною від 295.59 грн до 687.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STHU32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STHU32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STHU32N65DM6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.097 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STHU32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STHU32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 37A Automotive 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STHU32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |