STI270N4F3

STI270N4F3 STMicroelectronics


en.CD00151537.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+305.38 грн
10+ 246.88 грн
100+ 199.73 грн
500+ 166.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI270N4F3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STI270N4F3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STI270N4F3 STI270N4F3 Виробник : STMicroelectronics dm00371555-2042207.pdf MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)