STW11NK100Z STMicroelectronics
на замовлення 6984 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 461.88 грн |
25+ | 363.61 грн |
100+ | 283.64 грн |
250+ | 250.43 грн |
600+ | 233.82 грн |
1200+ | 221.86 грн |
3000+ | 220.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW11NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STW11NK100Z за ціною від 2473.48 грн до 2473.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW11NK100Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
STW11NK100Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
STW11NK100Z Код товару: 72114 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 1000 V Idd,A: 8,3 A Rds(on), Ohm: 1,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A On-state resistance: 1.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A On-state resistance: 1.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |