STW12N120K5

STW12N120K5 STMicroelectronics


en.DM00036727.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+679.75 грн
30+ 522.87 грн
120+ 467.83 грн
510+ 387.39 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW12N120K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції STW12N120K5 за ціною від 358.7 грн до 1147.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics sth12n120k5_2-1850906.pdf MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+738.54 грн
10+ 624.1 грн
25+ 491.55 грн
100+ 452.36 грн
250+ 425.79 грн
600+ 399.22 грн
1200+ 358.7 грн
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000774161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+796.58 грн
5+ 735.47 грн
10+ 674.37 грн
50+ 574.31 грн
100+ 482.23 грн
250+ 479.03 грн
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1147.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics STx12N120K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5 STW12N120K5 Виробник : STMicroelectronics STx12N120K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній