Продукція > STMICROELECTRONICS > STW21N90K5
STW21N90K5

STW21N90K5 STMicroelectronics

cd0025528.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
600+294.49 грн
Мінімальне замовлення: 600
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW21N90K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW21N90K5 за ціною від 401.32 грн до 677.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW21N90K5 STW21N90K5 Виробник : STMicroelectronics STx21N90K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+564.83 грн
2+ 402.01 грн
3+ 401.32 грн
STW21N90K5 STW21N90K5 Виробник : STMicroelectronics STx21N90K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+677.8 грн
2+ 500.97 грн
3+ 481.59 грн
6+ 455.85 грн
10+ 455.02 грн
STW21N90K5 STW21N90K5 Виробник : STMicroelectronics cd0025528.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N90K5 Виробник : STMicroelectronics cd0025528.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N90K5 STW21N90K5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00255284.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
товар відсутній
STW21N90K5 STW21N90K5 Виробник : STMicroelectronics stb21n90k5-1850169.pdf MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
товар відсутній