STW24N60DM2 STMicroelectronics
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 155.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW24N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції STW24N60DM2 за ціною від 135.51 грн до 362.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STW24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW24N60DM2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STW24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STW24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STW24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V |
товар відсутній |