STW26NM60ND STMicroelectronics
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW26NM60ND STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW26NM60ND
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW26NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
STW26NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V |
товар відсутній |