STW28N60M2 STMicroelectronics
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.84 грн |
| 10+ | 249.03 грн |
| 25+ | 172.04 грн |
| 100+ | 147.47 грн |
| 250+ | 131.52 грн |
| 600+ | 112.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW28N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції STW28N60M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW28N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
STW28N60M2 Код товару: 123683 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
| STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
 |
STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
|
|
STW28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |