SUA70090E-E3

SUA70090E-E3 Vishay / Siliconix


sua70090e-959278.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUA70090E-E3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUA70090E-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUA70090E-E3 SUA70090E-E3 Виробник : Vishay Siliconix sua70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
товар відсутній