Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD50P04-08-GE3
SUD50P04-08-GE3

SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix

sud50p04-08.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SUD50P04-08-GE3 за ціною від 35.07 грн до 120.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : VISHAY sud50p04-08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.01 грн
6+ 62.97 грн
17+ 48.44 грн
46+ 45.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : VISHAY sud50p04-08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.21 грн
5+ 78.47 грн
17+ 58.12 грн
46+ 54.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p04-08.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 6155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97 грн
10+ 76.32 грн
100+ 59.36 грн
500+ 47.22 грн
1000+ 38.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p04-08.pdf MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
на замовлення 27864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.85 грн
10+ 84.03 грн
100+ 56.66 грн
500+ 48.03 грн
1000+ 39.12 грн
2000+ 36.8 грн
4000+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009497827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 66789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.72 грн
10+ 92.4 грн
100+ 67.44 грн
500+ 53 грн
1000+ 41.96 грн
5000+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay sud50p04-08.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay sud50p04-08.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay sud50p04-08.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній