SUP90N06-6M0P-E3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SUP90N06-6M0P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 190.02 грн |
| 10+ | 165.43 грн |
| 25+ | 152.76 грн |
| 100+ | 130.08 грн |
| 500+ | 102.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP90N06-6M0P-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP90N06-6M0P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUP90N06-6M0P-E3 за ціною від 112.92 грн до 210.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP90N06-6M0P-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP90N06-6M0P-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 90A 272W 6.0mohm @ 10V |
на замовлення 6377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUP90N06-6M0P-E3 |
|
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SUP90N06-6M0P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SUP90N06-6M0P-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 272W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SUP90N06-6M0P-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 272W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |