Продукція > ONSEMI > SVD5867NLT4G
SVD5867NLT4G

SVD5867NLT4G onsemi

NVD5867NL.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 7425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.77 грн
5000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SVD5867NLT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SVD5867NLT4G за ціною від 18 грн до 56.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SVD5867NLT4G SVD5867NLT4G Виробник : onsemi NVD5867NL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 7425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.86 грн
10+ 41.24 грн
100+ 28.54 грн
500+ 22.38 грн
1000+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
SVD5867NLT4G SVD5867NLT4G Виробник : onsemi NVD5867NL_D-2319346.pdf MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
на замовлення 37381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.19 грн
10+ 39.65 грн
100+ 26.77 грн
500+ 24.11 грн
1000+ 21.32 грн
2500+ 18.07 грн
5000+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 6
SVD5867NLT4G SVD5867NLT4G Виробник : ON Semiconductor nvd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній