TAN250A
Виробник: на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TAN250A
Description: RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 6.2db ~ 7dB, Power - Max: 575W, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Supplier Device Package: 55AW.
Інші пропозиції TAN250A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TAN250A | Виробник : Microsemi |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| TAN250A | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW Packaging: Bulk Package / Case: 55AW Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 6.2db ~ 7dB Power - Max: 575W Current - Collector (Ic) (Max): 30A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz Supplier Device Package: 55AW |
товар відсутній |