TDB6HK360N16PBOSA1

TDB6HK360N16PBOSA1 Infineon Technologies


Infineon-TDB6HK360N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee13511f5228 Виробник: Infineon Technologies
Description: THYRISTOR MODULE VDRM 1600V 70A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 3000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max): 210 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 360 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+16293.08 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDB6HK360N16PBOSA1 Infineon Technologies

Description: THYRISTOR MODULE VDRM 1600V 70A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ), Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes, Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA, Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA, Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 3000A @ 50Hz, Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes, Current - On State (It (AV)) (Max): 210 A, Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V, Part Status: Active, Current - On State (It (RMS)) (Max): 360 A, Voltage - Off State: 1.6 kV.

Інші пропозиції TDB6HK360N16PBOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TDB6HK360N16PBOSA1 TDB6HK360N16PBOSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_tdb6hk360n16p_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3043243b5f170124ee135.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
товар відсутній