на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 75.23 грн |
| 163+ | 71.86 грн |
| 250+ | 68.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ30S06M3L,LXHQ(O Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK, Kind of package: reel; tape, Drain current: -30A, On-state resistance: 16.8mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 68W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 80nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -20...10V, Mounting: SMD, Case: DPAK, Drain-source voltage: -60V, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції TJ30S06M3L,LXHQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TJ30S06M3L,LXHQ(O | Виробник : Toshiba |
 TJ30S06M3L,LXHQ(O |
товар відсутній |
||
 |
TJ30S06M3L,LXHQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain current: -30A On-state resistance: 16.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 80nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -20...10V Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: -60V кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TJ30S06M3L,LXHQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain current: -30A On-state resistance: 16.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 80nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -20...10V Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: -60V |
товар відсутній |