на замовлення 5581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 403.76 грн |
| 10+ | 333.82 грн |
| 25+ | 274.34 грн |
| 100+ | 234.48 грн |
| 250+ | 221.86 грн |
| 500+ | 208.58 грн |
| 1000+ | 187.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK055U60Z1,RQ Toshiba
Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK055U60Z1,RQ за ціною від 171.64 грн до 367.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK055U60Z1,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V |
на замовлення 3567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|