TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 403.11 грн |
| 10+ | 333.1 грн |
| 100+ | 277.55 грн |
| 500+ | 229.83 грн |
| 1000+ | 206.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK065U65Z,RQ за ціною від 212.56 грн до 437.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ |
на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V |
товар відсутній |