TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 206.41 грн |
| 10+ | 157.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TK100E06N1,S1X(S за ціною від 127.1 грн до 286.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK100E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
TK100E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
TK100E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 255W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TK100E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 255W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC |
товар відсутній |