TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 250.05 грн |
50+ | 190.66 грн |
100+ | 163.42 грн |
500+ | 136.33 грн |
1000+ | 116.73 грн |
2000+ | 109.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK100E10N1,S1X за ціною від 114.92 грн до 251.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba | MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TK100E10N1,S1X Код товару: 175741 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товар відсутній |