TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 201.19 грн |
| 10+ | 157.97 грн |
| 100+ | 124.44 грн |
| 500+ | 105.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TK10A60W,S4VX(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TK10A60W,S4VX(M | Виробник : Toshiba |
TK10A60W,S4VX(M |
товар відсутній |
||
 |
TK10A60W,S4VX(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Case: SC67 Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 327mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TK10A60W,S4VX(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Case: SC67 Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 327mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |