Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK33S10N1Z,LQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK33S10N1Z,LQ за ціною від 41.52 грн до 97.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Виробник : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.96 грн
11+ 57.43 грн
25+ 57.1 грн
100+ 49.98 грн
250+ 45.82 грн
500+ 42 грн
1000+ 41.85 грн
3000+ 41.69 грн
6000+ 41.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Виробник : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+66.73 грн
189+ 61.84 грн
190+ 61.49 грн
209+ 53.83 грн
250+ 49.34 грн
500+ 45.23 грн
1000+ 45.07 грн
3000+ 44.9 грн
6000+ 44.74 грн
Мінімальне замовлення: 175
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Виробник : Toshiba TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624-1150677.pdf MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.47 грн
10+ 72.49 грн
100+ 53.21 грн
250+ 52.54 грн
500+ 46.9 грн
1000+ 43.24 грн
2000+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.72 грн
10+ 77.91 грн
100+ 62.03 грн
500+ 49.25 грн
1000+ 41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Виробник : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній