Продукція > TOSHIBA > TK3A90E,S4X(S
TK3A90E,S4X(S

TK3A90E,S4X(S TOSHIBA


3934706.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+93.15 грн
11+ 71.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3A90E,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK3A90E,S4X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK3A90E,S4X(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній