на замовлення 150 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.74 грн |
| 10+ | 111.53 грн |
| 100+ | 88.35 грн |
| 250+ | 87.02 грн |
| 500+ | 77.72 грн |
| 1000+ | 62.37 грн |
| 5000+ | 60.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3R9E10PL,S1X Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK3R9E10PL,S1X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK3R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V |
товар відсутній |