TK42A12N1,S4X(S Toshiba
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 102.84 грн |
| 129+ | 90.42 грн |
| 147+ | 79.46 грн |
| 200+ | 73.26 грн |
| 800+ | 64.1 грн |
| 1600+ | 58.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK42A12N1,S4X(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 42A, Power dissipation: 35W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK42A12N1,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK42A12N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товар відсутній |
|
 |
TK42A12N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 42A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TK42A12N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 42A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |