Продукція > TOSHIBA > TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S TOSHIBA

Name: TK430A60F,S4X(S
Brand: TOSHIBA
SKU: 5113401-6
Price: 131.89 UAH
Availability: InStock

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	172.88 грн
10+	131.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TK430A60F,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK430A60F,S4X(S

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
TK430A60F,S4X(S	Виробник : Toshiba	PWR-MOSFET N-CHANNEL	товар відсутній
TK430A60F,S4X(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 850 шт	товар відсутній
TK430A60F,S4X(S	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: MOSFET N-CH	товар відсутній
TK430A60F,S4X(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced	товар відсутній