Продукція > TOSHIBA > TK5P60W5,RVQ
TK5P60W5,RVQ

TK5P60W5,RVQ Toshiba


tosc_s_a0002811011_1-2283660.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.45 грн
10+ 73.87 грн
100+ 50.42 грн
500+ 42.78 грн
1000+ 34.81 грн
2000+ 32.75 грн
4000+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5P60W5,RVQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK5P60W5,RVQ за ціною від 33.26 грн до 84.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK5P60W5,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK5P60W5,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.07 грн
10+ 66.01 грн
100+ 51.33 грн
500+ 40.83 грн
1000+ 33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4