TK62Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1254.59 грн |
10+ | 1110.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK62Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(T), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK62Z60X,S1F за ціною від 692.16 грн до 1271.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK62Z60X,S1F | Виробник : Toshiba | MOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK62Z60X,S1F | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TK62Z60X,S1F | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |