Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK6A65D(STA4,Q,M)
TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK6A65D(STA4,Q,M) за ціною від 50.35 грн до 134.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba TK6A65D_datasheet_en_20131101-1151080.pdf MOSFET N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.84 грн
10+ 106.95 грн
100+ 85.03 грн
250+ 70.41 грн
500+ 63.04 грн
1000+ 52.01 грн
5000+ 50.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A65DSTA4QM
Код товару: 143200 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : TOSHIBA TK6A65D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : TOSHIBA TK6A65D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
товар відсутній