,TO-226_straightlead.jpg "TN0610N3-G")
TN0610N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.79 грн |
| 25+ | 67.73 грн |
| 100+ | 62.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0610N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN0610N3-G за ціною від 60.51 грн до 99.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN0610N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0610N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN0610N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 100V 1.5Ohm |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0610N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0610N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN0610N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
TN0610N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TN0610N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |