Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0620N3-G-P002
TN0620N3-G-P002

TN0620N3-G-P002 Microchip Technology

TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0620N3-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN0620N3-G-P002 за ціною від 76.08 грн до 132.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.4 грн
25+ 93.94 грн
100+ 85.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology tn062020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+122.91 грн
10+ 121.72 грн
25+ 101.4 грн
100+ 88.27 грн
250+ 80.91 грн
500+ 76.87 грн
1000+ 76.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology supertex_tn0620-1181278.pdf MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 13996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.77 грн
25+ 103.13 грн
100+ 81.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology tn062020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+132.37 грн
89+ 131.08 грн
107+ 109.2 грн
119+ 95.06 грн
250+ 87.13 грн
500+ 82.79 грн
1000+ 81.93 грн
Мінімальне замовлення: 88
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology tn062020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology tn062020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology tn062020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TN0620N3-G-P002 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0620.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of package: tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN0620N3-G-P002 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0620.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of package: tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній