TN2130K1-G MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 26.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2130K1-G MICROCHIP
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN2130K1-G за ціною від 16.58 грн до 33.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TN2130K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
TN2130K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 85 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
TN2130K1-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 300V 25Ohm |
на замовлення 38437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
TN2130K1-G | Виробник : Supertex |
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
TN2130K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Pulsed drain current: 0.25A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||
TN2130K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||
TN2130K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Pulsed drain current: 0.25A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |