TP2640LG-G

TP2640LG-G Microchip Technology


TP2640-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006372A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.92 грн
25+ 143.23 грн
100+ 130.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2640LG-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP2640LG-G за ціною від 116.91 грн до 179.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP2640LG-G TP2640LG-G Виробник : Microchip Technology TP2640_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-1888229.pdf MOSFET 400V 15Ohm
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.79 грн
25+ 147.43 грн
100+ 116.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
TP2640LG-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2640-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006372A.pdf TP2640LG-G SMD P channel transistors
товар відсутній
TP2640LG-G TP2640LG-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20006372a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.21A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
TP2640LG-G TP2640LG-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20006372a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.21A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
TP2640LG-G TP2640LG-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20006372a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.21A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
TP2640LG-G TP2640LG-G Виробник : Microchip Technology TP2640-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006372A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товар відсутній