Продукція > TRANSPHORM > TP65H300G4JSGB-TR
TP65H300G4JSGB-TR

TP65H300G4JSGB-TR Transphorm

datasheet-tp65h300g4jsgb Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.13 грн
10+ 152.99 грн
100+ 121.76 грн
500+ 96.69 грн
1000+ 82.04 грн
2000+ 77.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H300G4JSGB-TR Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V, Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H300G4JSGB-TR за ціною від 96.98 грн до 248.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Виробник : Transphorm TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf MOSFET GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.79 грн
10+ 172.64 грн
100+ 118.9 грн
500+ 100.97 грн
1000+ 96.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
TP65H300G4JSGB-TR Виробник : TRANSPHORM 4156858.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+248.14 грн
10+ 223.55 грн
100+ 190.76 грн
500+ 157.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Виробник : Transphorm datasheet-tp65h300g4jsgb Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товар відсутній