Продукція > TRANSPHORM > TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR

TP65H300G4LSGB-TR Transphorm

datasheet-tp65h300g4lsgb Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.94 грн
10+ 167.38 грн
100+ 135.45 грн
500+ 112.99 грн
1000+ 96.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H300G4LSGB-TR Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V, Power Dissipation (Max): 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H300G4LSGB-TR за ціною від 98.31 грн до 290.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Виробник : Transphorm TP65H300G4LSGB_0v1-3359785.pdf MOSFET GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.64 грн
10+ 183.34 грн
25+ 150.12 грн
100+ 128.87 грн
250+ 121.56 грн
500+ 114.25 грн
1000+ 98.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
TP65H300G4LSGB-TR Виробник : TRANSPHORM 4156860.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H300G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+290.61 грн
10+ 260.06 грн
100+ 222.06 грн
500+ 182.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Виробник : Transphorm datasheet-tp65h300g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товар відсутній