TPH1500CNH,L1Q

TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.

Інші пропозиції TPH1500CNH,L1Q за ціною від 51.21 грн до 137.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 8293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.75 грн
10+ 100.88 грн
100+ 80.29 грн
500+ 63.75 грн
1000+ 54.09 грн
2000+ 51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH,L1Q Виробник : Toshiba TPH1500CNH_datasheet_en_20191017-1634521.pdf MOSFET TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 23509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.17 грн
10+ 112.29 грн
100+ 77.72 грн
500+ 66.09 грн
1000+ 52.94 грн
5000+ 51.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH,L1Q Виробник : Toshiba tph1500cnh_datasheet_en_20191017.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній