Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH1R712MD,L1Q
TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R712MD_datasheet_en_20191030.pdf?did=14889&prodName=TPH1R712MD Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPH1R712MD,L1Q за ціною від 34.47 грн до 103.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Виробник : Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.46 грн
10000+ 38.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Виробник : Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.57 грн
10000+ 41.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD_datasheet_en_20191030.pdf?did=14889&prodName=TPH1R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.85 грн
10+ 74.73 грн
100+ 58.14 грн
500+ 46.25 грн
1000+ 37.67 грн
2000+ 35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Виробник : Toshiba TPH1R712MD_datasheet_en_20191030-1916318.pdf MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
на замовлення 8923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.07 грн
10+ 83.26 грн
100+ 56.2 грн
500+ 47.69 грн
1000+ 36.6 грн
5000+ 34.81 грн
10000+ 34.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Виробник : Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Виробник : Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній