Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R608NH,L1Q
TPH2R608NH,L1Q

TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2R608NH_datasheet_en_20191018.pdf?did=15733&prodName=TPH2R608NH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+37.71 грн
10000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V.

Інші пропозиції TPH2R608NH,L1Q за ціною від 35.74 грн до 104.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
219+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 219
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+93.48 грн
10+ 79.5 грн
25+ 79.01 грн
100+ 60.46 грн
250+ 54.65 грн
500+ 45.25 грн
1000+ 40.86 грн
3000+ 36.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R608NH_datasheet_en_20191018.pdf?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 121444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.57 грн
10+ 75.42 грн
100+ 58.66 грн
500+ 46.67 грн
1000+ 38.01 грн
2000+ 35.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Виробник : Toshiba TPH2R608NH_datasheet_en_20191018-1916309.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel Single
на замовлення 14209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.62 грн
10+ 85.56 грн
100+ 57.66 грн
500+ 48.82 грн
1000+ 37.53 грн
2500+ 37.46 грн
5000+ 35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товар відсутній
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товар відсутній