на замовлення 6680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.02 грн |
10+ | 96.25 грн |
100+ | 66.43 грн |
250+ | 61.11 грн |
500+ | 55.47 грн |
1000+ | 49.42 грн |
5000+ | 43.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH3R10AQM,LQ Toshiba
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TPH3R10AQM,LQ за ціною від 43.82 грн до 107.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPH3R10AQM,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3. Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V |
на замовлення 7073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ | Виробник : Toshiba | TPH3R10AQM,LQ |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V |
товар відсутній |