Продукція > TOSHIBA > TPH3R506PL,LQ(S
TPH3R506PL,LQ(S

TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+43.82 грн
500+ 36.46 грн
1000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 116W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TPH3R506PL,LQ(S за ціною від 33.02 грн до 80.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.43 грн
15+ 52.83 грн
100+ 43.82 грн
500+ 36.46 грн
1000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+76.1 грн
165+ 70.75 грн
196+ 59.57 грн
207+ 54.3 грн
500+ 50.1 грн
1000+ 43.52 грн
2000+ 40.97 грн
3000+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 153
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+80.27 грн
152+ 76.68 грн
250+ 73.6 грн
500+ 68.41 грн
1000+ 61.28 грн
2500+ 57.09 грн
Мінімальне замовлення: 146
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товар відсутній